英特尔® Stratix® 10 MX FPGA 可用作高性能计算 (HPC)、数据中心、网络功能虚拟化 (NFV) 和广播应用的基本多功能加速器。 这些设备兼具英特尔® Stratix® 10 FPGA 和 SoC 的可编程性和灵活性，且支持 3D 堆栈式高带宽内存 2 (HBM2)。英特尔® Hyperflex™ FPGA 架构支持高性能内核架构，可有效利用封装内存区块的带宽。DRAM 内存区块借助英特尔的嵌入式多芯片互连桥接 (EMIB) 技术物理连接至 FPGA。

• 更高的内存带宽

英特尔® Stratix® 10 Mx 设备的带宽比 DDR4 SDRAM 等目前的独立内存解决方案的带宽高 10 倍。传统的 DDR4 DIMM 带宽大约为 21 Gb/秒，而 1 个 HBM2 区块高达 256 GB/秒。英特尔® Stratix® 10 MX 设备在一个封装中集成了兩台 HBM2 设备，最大内存带宽高达 512 GBps。

• 更低的系统功耗和更优的每瓦性能

英特尔® Stratix® 10 MX 设备在内核架构旁集成了 HBM Gen2 内存。这种安排显著缩短了内核架构和内存之间的互联，从而降低了过去驱动长 PCB 走线所需的功耗。走线未进行匹配，容性负载较小，降低了 I/O 电流。最终结果是更低的系统功耗和更优的每瓦性能。

• 外形更小，使用简单

英特尔® Stratix® 10 MX 封装集成了内存组件，从而显著降低了 PCB 设计的复杂性。这种实施方法缩小了外形封装，支持简单使用模型，造就了一款高度灵活、易于使用、可扩展的解决方案。嵌入式 SRAM (eSRAM) 就是一个很好的例子，相比独立 QDR IV-1066，它的带宽更高：总（读和写）带宽高 11.25 倍，而总功耗降低了 2.6 倍，因此进一步完善了已有的模块 RAM。增强的嵌入式 SRAM 非常适合需要最高等级随机会话速率 (RTR) 的应用，可取代或减少对独立 QDR 的需求，且 EMIF I/O 占用为零。